制裁の迂回路を探す中国…次世代パワー半導体、５～１０年内に「リーダー」に浮上 - ハンギョレ

中国の半導体製造競争力はグローバルのトップ企業に比べ、NANDフラッシュは2年、DRAMは5年程度の格差がある。 韓国対外経済政策研究院が27日に発表した報告書「関連キーワードはありません